半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993296493
Publication number (International publication number)：1995147321
Application date： Nov. 26, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】2種類以上の深さのコンタクト孔を開口した後、これらのコンタクト孔内に同時に導電体膜を充填する製造方法を提供する。【構成】層間絶縁膜6に口径の等しいコンタクト孔7,8を形成し、リンドープド多結晶シリコン膜9を全面に形成した後、この膜を異方性エッチングしてリンドープド多結晶シリコン膜スペーサ9aを形成する。このリンドープド多結晶シリコン膜スペーサ9aの上端とコンタクト孔7,8の上端との差はコンタクト孔7,8の口径の1/2程度である。続いて、タングステン膜10Aを選択CVD法により形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面からの上面の高さがそれぞれ異なる複数の種類の配線層を形成し、全面に層間絶縁膜を形成し、同じ口径を有し,該配線層の上面に達する深さの異なる複数の種類のコンタクト孔を該層間絶縁膜に形成する工程と、全面に第1導電体膜を形成し、該第1導電体膜を異方性エッチングして前記層間絶縁膜の上面から所定の深さより下方のそれぞれの前記コンタクト孔の側壁に該第1導電体膜からなるスペーサを形成する工程と、第2導電体膜の選択成長を行ない、それぞれの前記コンタクト孔を該第2導電体膜で充填する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (2)：

H01L 21/90 B , H01L 21/90 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-030426
特表平1-501588
特開平4-320329

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