半導体ウェーハなどのワークピースの処理方法および処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000543258
Publication number (International publication number)：2002511644
Application date： Apr. 16, 1999
Publication date： Apr. 16, 2002
Summary：

【要約】マイクロエレクトロニクス製造産業の汚染問題に対処する化学処理シーケンスで用いられる新規な化学的作用および応用技術について説明する。これらの問題とは、すなわち、有機物、粒子、金属/イオン、二酸化シリコンに関する汚染を極力抑えることである。一般的にいえば、ワークピース表面に対して化学作用を有する流れを供給することにより、半導体ウェーハなどのワークピースを洗浄する。オゾンは、処理液体の流れ、または処理環境の中に供給される。液体または蒸気の形態を有する化学作用を有する流れがウェーハに供給され、これにより、ワークピース表面上に形成される界面層を制御することができる。化学作用を有する流れは、粒子と有機物を同時に除去するための水酸化アンモニウムなどの成分を含むものであってもよいし、溶液のpHを上げるための別の化学薬品であってもよいし、あるいは、1つまたはそれ以上の洗浄処理を行うように考案されたその他の化学的添加剤であってもよい。

Claim (excerpt)：

ワークピースを処理する方法であって、ワークピースを高温度に維持するのを支援するための加熱された液体を、処理すべきワークピースの表面上に供給するステップと、ワークピースを包囲する環境内にかなりの量のオゾンを導入するステップと、薄い液体界面層を形成するためにワークピースの表面上に加熱された液体の厚みを制御するステップとを有し、ワークピースの表面において、オゾンが反応するために液体界面層を介して拡散できるようにしたことを特徴とする方法。

IPC (7)：

H01L 21/304 643 , H01L 21/304 645 , B08B 3/08 , B08B 3/12 , B08B 6/00 , G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (7)：

H01L 21/304 643 A , H01L 21/304 645 Z , B08B 3/08 A , B08B 3/12 A , B08B 6/00 , G03F 7/42 , H01L 21/30 572 B

F-Term (31)：

2H096AA25 , 2H096CA01 , 2H096LA03 , 2H096LA30 , 3B116AA03 , 3B116BA13 , 3B116BB21 , 3B116BB82 , 3B116BB87 , 3B116BB89 , 3B116BB90 , 3B116CC01 , 3B116CC03 , 3B116CD22 , 3B201AA03 , 3B201AB33 , 3B201BB21 , 3B201BB82 , 3B201BB87 , 3B201BB89 , 3B201BB90 , 3B201BB92 , 3B201BB96 , 3B201BB98 , 3B201CC01 , 3B201CC12 , 3B201CC13 , 3B201CD22 , 5F046HA03 , 5F046MA02 , 5F046MA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-370931
基板洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-165387 Applicant：日立造船株式会社
半導体基板洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-075041 Applicant：日本電気株式会社

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