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J-GLOBAL ID：200903008077157197

磁気抵抗効果膜及び磁気抵抗効果素子

Inventor：
藤方 潤一

About 藤方 潤一

, 
中田 正文

About 中田 正文


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999146810
Publication number (International publication number)：2000340857
Application date： May. 26, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ゼロ磁場前後で直線的に大きな抵抗変化を示し、熱安定性に優れた磁気抵抗効果膜及び磁気抵抗効果素子を提供することにある。【解決手段】 反強磁性体と交換結合して交換バイアスを与えられた磁性層と磁性層が非磁性層を介して積層された磁気抵抗効果膜において、下地層(Zr、Hf、Zr-Hf、Zr-Co、Zr-Au、Ni-O、Co-O、Fe-O)上に反強磁性薄膜(PtMn、PdMn、NiMn)を積層し、表面の平均粗さを1〜5Åとし、磁界を検知する磁性薄膜に隣接して、Cu、Ag、Au又はこれらの少なくとも2種から選択される合金からなる伝導層を形成し、これに隣接してZr、Ta、Zr-O、Ta-O又はこれらの混合物を隣接して積層する磁気抵抗効果膜及び反強磁性薄膜と隣接しない一方の磁性薄膜を十分なバイアス磁界を生じさせ単磁区化する磁気抵抗効果素子。
Claim (excerpt)：
基板上に非磁性薄膜を介して積層した複数の磁性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣り合う一方の磁性薄膜に反強磁性薄膜を隣接して設けてあり、この反強磁性薄膜による交換バイアス磁界をH<SB>r</SB>、他方の磁性薄膜の保磁力をH<SB>c2</SB>としたとき、H<SB>c2</SB><H<SB>r</SB>である磁気抵抗効果膜において、基板上にZr、Hf又はこれらの合金、又はZr-Au、Zr-Coからなる下地層を形成し、この上に隣接してPtMn、PdMn、NiMn又はこれらの少なくとも2種から選択される合金からなる反強磁性薄膜を積層し、反強磁性薄膜の表面の平均粗さが1〜5Åであることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (3)：
H01L 43/08 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/10
FI (3)：
H01L 43/08 Z ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/10
F-Term (14)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5E049DB20 ,  5E049EB01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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