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J-GLOBAL ID:200903008085826278

薄膜形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001037901
Publication number (International publication number):2001329395
Application date: Feb. 15, 2001
Publication date: Nov. 27, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高エネルギープロセスを必要としない新規な薄膜合成法を提供する。【解決手段】 蒸留水にLiOH・H2O(4M)を溶解させて250mLの反応溶液を作製する。次いで、この反応溶液をフロー型反応装置内に入れ、前記反応溶液を所定の温度及び所定の流量で、前記フロー型反応装置内に設置したアノード電極及びカソード電極間に流す。次いで、前記電極間に所定の電圧を印加するとともに、前記反応溶液に過酸化水素(H2O2)からなる酸化剤を滴下し、前記アノード電極上にリチウムコバルト酸化物薄膜を形成する。
Claim (excerpt):
所定の流量で流れる反応溶液中にアノード電極とカソード電極とを入れ、前記アノード電極と前記カソード電極との間に所定の電圧を印加し、前記アノード電極上に、前記反応溶液の構成元素と前記アノード電極の構成元素とを含んでなる化合物の薄膜を合成することを特徴とする、薄膜形成方法。
IPC (4):
C25D 9/06 ,  C25D 9/04 ,  H01M 4/04 ,  H01M 4/58
FI (4):
C25D 9/06 ,  C25D 9/04 ,  H01M 4/04 A ,  H01M 4/58
F-Term (6):
5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA08 ,  5H050GA15 ,  5H050GA27 ,  5H050HA20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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