半導体ウエーハの加工方法および半導体ウエーハ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998241101
Publication number (International publication number)：1999233485
Application date： Aug. 11, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】ウエーハのラッピング後の平坦度を維持しつつ、機械的加工歪み層を除去し、表面粗さを改善し、特に局所的な深いピットをより浅く、滑らかな凹凸形状を持ち、パーティクルや汚染の発生しにくいエッチング表面を有する化学エッチングウエーハとなる加工方法を提供する。【解決手段】単結晶棒をスライスして得た半導体ウエーハを、少なくとも面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨および洗浄する工程からなる半導体ウエーハの加工方法において、前記エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチング、特には反応律速型酸エッチングを行うものとし、その際、アルカリエッチングのエッチング代を、酸エッチングのエッチング代よりも大きくする方法であり、前記エッチング代を、アルカリエッチングでは10〜30μm、酸エッチングでは5〜20μmとする。

Claim (excerpt)：

単結晶棒をスライスして得た半導体ウエーハを、少なくとも面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨および洗浄する工程からなる半導体ウエーハの加工方法において、前記エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、アルカリエッチングのエッチング代を、酸エッチングのエッチング代よりも大きくすることを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (3)：

H01L 21/306 B , H01L 21/304 622 N , H01L 21/304 622 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体ウェハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-279819 Applicant：コマツ電子金属株式会社
シリコンウエハのエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-088731 Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
特開平3-001537

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