基板洗浄方法および基板洗浄液

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998252661
Publication number (International publication number)：2000091277
Application date： Sep. 07, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】CMP後、表面に金属材料および半導体材料が露出した基板を洗浄する基板洗浄方法において、パーティクルや金属の汚染を従来以上に低減し、特に金属表面に吸着した金属不純物を効果的に除去すること。【解決手段】まずアンモニア水等を含む第一の洗浄液により基板を洗浄する(第一の工程)。ついで、(a)上記金属材料または上記研磨液に含まれる金属の酸化物と錯体を形成しやすい第一の錯化剤、および(b)アニオン系またはカチオン系の界面活性剤を含む第二の洗浄液により基板を洗浄する(第二の工程)。第二の洗浄液に、(c)化学的機械的研磨処理をした後に表面に残留する金属不純物と錯体を形成しやすい第二の錯化剤を添加してもよい。

Claim (excerpt)：

表面に金属材料および半導体材料が露出した基板を研磨液によって化学的機械的研磨処理をした後、該基板を洗浄する基板洗浄方法であって、(A)アンモニア水または電解カソード水を含む第一の洗浄液により基板を洗浄する第一の工程と、(B)第一の工程の後、(a)前記金属材料の酸化物または前記研磨液に含まれる金属の酸化物と錯体を形成しやすい第一の錯化剤、および(b)アニオン系またはカチオン系の第一の界面活性剤を含む第二の洗浄液により基板を洗浄する第二の工程とを有することを特徴とする基板洗浄方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 641 , H01L 21/304 647

FI (4)：

H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 Q , H01L 21/304 641 , H01L 21/304 647 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体基板の洗浄液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-052580 Applicant：三菱瓦斯化学株式会社

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