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J-GLOBAL ID：200903008180753938
電界効果トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998103002
Publication number (International publication number)：1999297713
Application date： Apr. 14, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 GaN系化合物半導体で構成されている電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 半絶縁性基板1の上に、GaN系化合物半導体から成る複数の半導体層2,3,4,5の積層構造を有し、かつ、表面にはゲート電極Gとソース電極Sとドレイン電極Dとが装荷されている電界効果トランジスタであって、ゲート電極Gが装荷されている半導体層は、表層部にInとCまたはMgが拡散している拡散層4aを有する導電性半導体層4であり、ソース電極Sおよびドレイン電極Dが装荷されている半導体層は、導電性半導体層4を構成する半導体よりもバンドギャップエネルギーが小さい半導体から成る層5である。
Claim (excerpt)：
半絶縁性基板の上に、GaN系化合物半導体から成る複数の半導体層の積層構造を有し、かつ、表面にはゲート電極とソース電極とドレイン電極とが装荷されている電界効果トランジスタであって、前記ゲート電極が装荷されている半導体層は、表層部にInとCまたはMgが拡散している拡散層を有する導電性半導体層であり、前記ソース電極および前記ドレイン電極が装荷されている半導体層は、前記導電性半導体層を構成する半導体よりもバンドギャップエネルギーが小さい半導体から成る層であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
