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J-GLOBAL ID：200903008232930582

強磁性トンネル効果素子

Inventor：
三塚 勉

About 三塚 勉


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 高橋 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998260366
Publication number (International publication number)：2000091666
Application date： Sep. 14, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：
【要約】【課題】 下部強磁性体層の酸化を防ぐとともに、酸化しきれないトンネルバリア層の原材料が下部強磁性体層とトンネルバリア層との間に残ることを防ぐことによって、大きな磁気抵抗変化率を実現する。【解決手段】 本発明に係る強磁性トンネル効果素子10は、基板88上に、下部強磁性体層82、耐酸化層12、トンネルバリア層84及び上部強磁性体層86が、この順に積層されてなるものである。本発明によれば、下部強磁性体層82と酸化物からなるトンネルバリア層84との間に耐酸化層12を挟んだことにより、トンネルバリア層84の原材料を酸化させるときに、その酸化がトンネルバリア層84の原材料と耐酸化層12との界面で止まるので、下部強磁性体層82の酸化を防ぐことができる。
Claim (excerpt)：
基板上に、下部強磁性体層、トンネルバリア層及び上部強磁性体層がこの順に積層されてなる、強磁性トンネル効果素子において、前記トンネルバリア層が酸化物からなり、前記下部強磁性体層と前記トンネルバリア層との間に耐酸化層が設けられたことを特徴とする強磁性トンネル効果素子。
IPC (2)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39
FI (2)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39
F-Term (4)：
5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034BA21 ,  5D034DA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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