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J-GLOBAL ID：200903008234992763

電気的書込可能な不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
佐藤 敏哉

About 佐藤 敏哉


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996208583
Publication number (International publication number)：1998055690
Application date： Aug. 07, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 書込確認動作が不要でありながら、いかなるしきい値への書込動作をも正確に行うことができる電気的書込可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 書込動作時にセルトランジスタ111に流れる書込電流I11を差動増幅回路139で検出し、REF選択回路138により選択されたREF135、136、137、のいずれかが発生する電流値と比較する。書込電流I11が、所定値に達すると点Bの電位がLレベルとなり、点CにHレベルが現れる。この結果、プリセット回路118がセットされその出力がLレベルになり、点AはLレベルになる。そして、トランジスタ113がオフして書込動作が停止する。REF135、136、137には、予めセルトランジスタ111のしきい値電圧と書込電流I11との関係から求めた所定電流を発生するように設定される。
Claim (excerpt)：
メモリセルトランジスタを有する電気的書込可能な不揮発性半導体記憶装置において、書込動作時に前記メモリセルトランジスタに書込電流を供給する電流供給手段と、前記書込電流を検出して所定値に達したときに検出信号を出力する書込電流検出手段と、前記検出信号を受けて書込動作を停止する書込動作停止手段とを設けたことを特徴とする電気的書込可能な不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/04
FI (2)：
G11C 17/00 510 C ,  G11C 17/00 308
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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