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J-GLOBAL ID:200903008276398209
ドライエッチング装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994256799
Publication number (International publication number):1996124901
Application date: Oct. 21, 1994
Publication date: May. 17, 1996
Summary:
【要約】【目的】 メタルドライエッチング装置において、ウエハの腐食の原因とされている大気が、エッチングとウエットリンス処理過程においてウエハに接触しないことを目的とする。【構成】 エッチング室とリンス室の間にロードロック室10を介し、リンサー40内を常時窒素でパージする。また、リンス水に脱酸素水を用いる。さらにリンス液に脱塩素作用を有すチオ硫酸塩水溶液を用いることができる。さらにアッシング室を付加することができる。
Claim (excerpt):
内部にウエハハンドリングアームを有するロードロック室と、前記ロードロック室の奥に配置されたエッチング室と、前記ロードロック室の奥に配置され内部に不活性ガスを充満させたスピンリンサー室とを備えたドライエッチング装置。
IPC (3):
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/68
FI (2):
H01L 21/302 N
, H01L 21/302 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開平4-014222
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-037994
Applicant:株式会社東芝
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特開平1-302727
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特開平3-280535
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ドライエツチング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-251508
Applicant:松下電器産業株式会社
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特開平3-274746
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