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J-GLOBAL ID：200903008294661529

窒化物半導体基板およびそれを用いた窒化物半導体素子

Inventor：
清久 裕之

About 清久 裕之


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998343464
Publication number (International publication number)：2000174395
Application date： Dec. 02, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：
【要約】【目的】 窒化物半導体を成長させる基板を改良することによって、長寿命、高効率、歩留の向上した窒化物半導体素子を得る。【構成】 オフ角が0.10°以上、0.20°以下である、C面を主面とするサファイア基板上に、第1の窒化物半導体、その上にストライプ状に形成された窒化物半導体と異なる保護膜、さらにその上に選択成長した第2の窒化物半導体が形成されてなり、さらに前記オフアングルされたサファイア基板のステップに沿う方向(段差方向)は、サファイア基板のA面に対して垂直に形成されてなり、さらに前記ストライプ状の保護膜は、前記オフアングルされたサファイア基板のステップに沿う方向(段差方向)に対して平行に形成する。
Claim (excerpt)：
ステップ状にオフアングルされたサファイア基板上に、第1の窒化物半導体、その上にストライプ状に形成された窒化物半導体と異なる保護膜、さらにその上に第2の窒化物半導体が形成されてなり、さらに前記オフアングルされたサファイア基板のステップに沿う方向(段差方向)は、サファイア基板のA面に対して垂直に形成されてなり、さらに前記ストライプ状の保護膜は、前記オフアングルされたサファイア基板のステップに沿う方向(段差方向)に対して平行に形成することを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (4)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4)：
H01S 3/18 677 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (42)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F052KA05 ,  5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA76 ,  5F073AA77 ,  5F073CB05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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