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J-GLOBAL ID：200903008349686488

強誘電体記憶素子

Inventor：
荻本 泰史

About 荻本 泰史

, 
長田 昌也

About 長田 昌也


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 川口 義雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994190409
Publication number (International publication number)：1996055919
Application date： Aug. 12, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 フッ化物系強誘電体を使用する構造的に安定な強誘電体記憶素子の提供。【構成】 強誘電体記憶素子において、BaMF4 [但し、MはMg、Zn、Mn、Fe、Co及びNiからなる元素]で表されるフッ化物系強誘電体3と半導体単結晶基板1の間にバッファ層2を形成し、バッファ層2としては(Åx B1-x )F2 (0≦x≦1)[但し、A及びBはそれぞれCa、Sr、Ba及びMgからなるアルカリ土類金属群の元素]で表されるフッ化物絶縁体層か、(Ax B1-x )F2 /(Cy D1-y )F2 (0≦x≦1)(0≦y≦1)[但し、A、B,C及びDはそれぞれCa、Sr、Ba及びMgからなるアルカリ土類金属群の元素]で表される2層からなるフッ化物絶縁体層を用いる。また、AF3 [但し、AはLa、Nd、Ce及びErからなる稀土類金属群から選択される元素]で表されるフッ化物絶縁体層も、配向性バッファ層として用いられる。
Claim (excerpt)：
下記式(I)BaMF4 (I)[但し、MはMg、Zn、Mn、Fe、Co及びNiからなる群から選択される元素]で表されるフッ化物系強誘電体と半導体単結晶基板の間にバッファ層を形成してなることを特徴とする強誘電体記憶素子。
IPC (7)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  C30B 29/12 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (2)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 651
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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