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J-GLOBAL ID：200903008369696889

ホトレジスト組成物

Inventor： ジェイムス ヴィンセント クリヴェロ ,  サン-ヨン シム
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994148663
Publication number (International publication number)：1996022125
Application date： Jun. 07, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 2成分系及び3成分系ポジ型レジスト材料として有効なポリマーを提供する。【構成】 ホトレジスト材料が下記式(1)で表わされるポリマーを含有する。(式中のR1は置換または非置換芳香族基または-(CH2)p-SiR3(R3はメチル基またはエチル基であり、p=0または1である)で示される基であり、R2は水素原子またはメチル基であり、t-Buはt-ブチル基を示し、n/(m+n)は0.1〜0.9である。)式(1)のポリマーは、光酸発生剤とともに2成分系のポジ型ホトレジスト材料を形成することができる。また式(1)のポリマーは、アルカリ可溶性樹脂として用いられ、この場合、光酸発生剤および少なくとも1個の酸不安定基を有する溶解阻止剤とともに3成分系のポジ型ホトレジスト材料を形成することができる。あるいはまた、式(1)のポリマーは、溶解阻止剤として用いられ、この場合、他のアルカリ可溶性樹脂および光酸発生剤とともに3成分系のポジ型ホトレジスト材料を形成することができる。

Claim (excerpt)：

下記式(1)で表わされるポリマーを含有するホトレジスト組成物。【化1】(式中、R1は置換または非置換の芳香族基または-(CH2)p-SiR3(R3はメチル基またはエチル基であり、p=0または1である)で示される基であり、R2は水素原子またはメチル基であり、t-Buはt-ブチル基を示し、n/(m+n)は0.1〜0.9である。)

IPC (4)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 感放射線性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-216052   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• 特開平3-223865
  
• 特開平2-181150
  
• 特開平3-289659