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J-GLOBAL ID：200903008383866444

窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： 山口 勤 ,  畑 雅幸 ,  野村 康彦 ,  後藤 壮謙 ,  廣山 良治
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007250631
Publication number (International publication number)：2009081336
Application date： Sep. 27, 2007
Publication date： Apr. 16, 2009
Summary：

【課題】素子の劣化を抑制し、かつ、戻り光ノイズの低減効果を効率よく得ることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子100は、n型GaN基板10の(11-22)面からなる主表面上に形成され、活性層22を有する半導体レーザ素子層20と、半導体レーザ素子層20の活性層22を含む領域の端部に形成され、n型GaN基板10の主表面に対して略垂直な方向に延びる共振器面(光出射面20aおよび光反射面20b)と、少なくとも光出射面20aに対応する領域に形成され、n型GaN基板10の(0001)面における劈開面からなり、光出射面20aに対して約30°傾斜して延びる素子分離面10aとを備える。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板の主表面上に形成され、発光層を有する窒化物系半導体素子層と、 前記窒化物系半導体素子層の前記発光層を含む領域の端部に形成され、前記基板の主表面に対して略垂直な方向に延びる共振器面と、 少なくとも光出射側の前記共振器面に対応する領域に形成され、前記基板の劈開面からなり、前記共振器面に対して所定の角度傾斜して延びる素子分離面とを備えた、窒化物系半導体レーザ素子。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343 610

F-Term (10)：

5F173AA05 ,  5F173AA47 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP87 ,  5F173AP93 ,  5F173AP94 ,  5F173AR70 ,  5F173AR96

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-274872   Applicant：シャープ株式会社