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J-GLOBAL ID：200903008383934385

フリップチップ接合で製作した多重波長レ-ザアレ-

Inventor： ダニエル ホフステッター ,  クラレンス ジェイ ダンロヴィッツ ,  デカイ サン ,  ロス ディ ブリンガンス ,  ミカエル エイ ネイスル
Applicant, Patent owner： ゼロックス コーポレイション
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999125194
Publication number (International publication number)：1999340587
Application date： Apr. 30, 1999
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 赤外から赤色および青色に至る広い波長スペクトル範囲の、密な間隔の多重波長レーザビームを放出する能力をもつモノリシックな多重レーザ構造を提供する。【解決手段】 赤色/赤外並列形レーザ構造100が青色レーザ構造200に半田バンプ402,404でフリップチップ接合され、ハイブリッド方式の集積化された赤色/青色/赤外集積形レーザ構造400が形成される。この方法によりエッチングや再成長による製造方法に適合しない半導体材料系においても、異なる波長のレーザ素子をもつレーザアレー構造を製作することができる。

Claim (excerpt)：

集積化されたエッジ発光半導体レーザ構造において、第一のレーザ構造であって、第一の基板と、前記第一の基板上に形成された第一の複数の半導体層と、第一の活性領域を形成する前記第一の複数の半導体層中の一つ以上の層と、前記第一の複数の半導体層中の一層上に設けられた第一の接合手段と、を有する第一のレーザ構造と、第二のレーザ構造であって、第二の基板と、前記第二の基板上に形成された第二の複数の半導体層と、第二の活性領域を形成する前記第二の複数の半導体層中の一つ以上の層と、前記第二の複数の半導体層中の一層上に設けられた第二の接合手段であって、前記第一の接合手段の少なくとも一つに接合される第二の接合手段と、前記第二の基板上に形成された第三の複数の半導体層と、第三の活性領域を形成する前記第三の複数の半導体層中の一つ以上の層と、前記第三の複数の半導体層中の一層上に設けられた第三の接合手段であって、前記第一の接合手段の少なくとも一つに接合される第三の接合手段と、を有する第二のレーザ構造と、第一の波長の光を放出させるために前記第一の活性領域にバイアス電圧を印加することができる第一および第二の接点と、第二の波長の光を放出させるために前記第二の活性領域にバイアス電圧を印加することができる第三および第四の接点と、第三の波長の光を放出させるために前記第三の活性領域にバイアス電圧を印加することができる第五および第六の接点と、を含むことを特徴とする集積化されたエッジ発光半導体レーザ構造。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭54-107689
  
• 特開昭54-107689
  
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-210878   Applicant：日本電気株式会社
• 多重ビーム型ダイオードレーザアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-317423   Applicant：ゼロックスコーポレイション