半導体発光装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995225306
Publication number (International publication number)：1996125285
Application date： Sep. 01, 1995
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【課題】クラッド層の構造を最適化することにより、素子特性の向上、コスト低減を達成すること。【解決手段】第1導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第1クラッド層と、該第1クラッド層に隣接して、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなる厚さ0.5μm以下の第2クラッド層と、該第2のクラッド層に隣接して、第1又は第2導電型のAlGaInP又はGaInPからなる厚さ0.1μm未満の活性層と、該活性層に隣接して、第2導電型のAlGaInP又はAlInPから成る厚さ0.5μm以下の第3クラッド層と、該第3クラッド層に隣接して、第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第4クラッド層を具備し、且つ該活性層への電流を狭窄するための電流阻止層を有することを特徴とする半導体発光装置。

Claim (excerpt)：

第1導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第1クラッド層と、該第1クラッド層に隣接して、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなる厚さ0.5μm以下の第2クラッド層と、該第2のクラッド層に隣接して、第1又は第2導電型のAlGaInP又はGaInPからなる厚さ0.1μm未満の活性層と、該活性層に隣接して、第2導電型のAlGaInP又はAlInPから成る厚さ0.5μm以下の第3クラッド層と、該第3クラッド層に隣接して、第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第4クラッド層を具備し、且つ該活性層への電流を狭窄するための電流阻止層を有することを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平3-112186
特開平4-312991
特開平2-116187

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