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J-GLOBAL ID：200903008392480940

断層像形成方法及びそのための装置

Inventor：
春名 正光

About 春名 正光

, 
近江 雅人

About 近江 雅人


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000028511
Publication number (International publication number)：2001212086
Application date： Feb. 07, 2000
Publication date： Aug. 07, 2001
Summary：
【要約】【課題】 共焦点顕微鏡のレーザ光源は近赤外光、すなわち不可視光を用い、患部の厚さを簡便かつ正確に測定することができる断層像形成方法及びそのための装置を提供する。【解決手段】 低コヒーレンス光干渉法と共焦点法とを用いて、透明物体の屈折率、厚さの測定をベースにしている。新たに共焦点法でトモグラフィを作成するが、OCT法でもトモグラフィを作る。二つのトモグラフィから得られる境界面間距離と屈折率、厚さの関係式より、真の厚さを算出し、断層像とする。即ち、OCT法からの境界面間距離は(屈折率)×(厚さ)であり、一方、共焦点法のそれは(厚さ)/(屈折率)で示される。これより、真の厚さが求められる。
Claim (excerpt)：
測定対象物の屈折率と厚さの同時測定が可能な断層像形成方法において、(a)被測定物体を断層像を入手したいz方向に走査し、共焦点光学系を用いてz方向の断層像を撮り、(b)低コヒーレンス光干渉を用いてz方向の断層像を撮り、(c)前記二つの断層像に基づいて、演算処理を施して、幾何学的サイズ(t)で屈折率分布〔n(x,z)〕を表示することを特徴とする断層像形成方法。
IPC (2)：
A61B 3/12 ,  A61B 10/00
FI (2)：
A61B 10/00 E ,  A61B 3/12 E
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (7)
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