半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992083736
Publication number (International publication number)：1993291247
Application date： Apr. 06, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【構成】シリコン基板(1)上の層間絶縁膜(2-1、2-2)上に、所定の形状を有するレジスト膜(3)を形成し、次に、第1の異方性ドライエッチングによりレジスト膜(3)をマスクとして層間絶縁膜(2)をその膜厚の途中までエッチングし、次に、第2の異方性ドライエッチングによりレジスト膜(3)を所定の時間だけエッチングし、次に、第3の異方性ドライエッチングにより層間絶縁膜(2)を所定の時間だけエッチングし、次に、レジスト膜(3)を除去し、最後に、熱処理を施す構成。【効果】層間接続孔のエッチング途中にレジスト膜のエッチング工程を挿入し、かつ、熱処理を施すことにより、層間接続孔の開口上部のテーパ形状を平滑化することができるので、上層配線層の段差被覆性が向上し、断線防止に寄与することができ、その結果、歩留りの向上を図ることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成した少なくとも1層からなる層間絶縁膜上に、所定の形状を有するレジスト膜を形成する第1の工程と、第1の異方性ドライエッチングにより、上記レジスト膜をマスクとして上記層間絶縁膜をその膜厚の途中までエッチングする第2の工程と、第2の異方性ドライエッチングにより、上記レジスト膜を所定の時間だけエッチングする第3の工程と、第3の異方性ドライエッチングにより、上記層間絶縁膜を所定の時間だけエッチングする第4の工程と、上記レジスト膜を除去する第5の工程と、熱処理を施す第6の工程とを順次含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 , H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-007521
特開昭63-169882
特開昭63-169882

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