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J-GLOBAL ID：200903008591652334

多層配線構造およびその製造方法

Inventor：
武田 実

About 武田 実


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992187675
Publication number (International publication number)：1994005714
Application date： Jun. 22, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、多層配線構造において、下層の第1の配線と上層の第3の配線とを接続する際に、中層の第2の配線に接触することなく最小の設計寸法になるコンタクトホールを形成して、配線の高密度実装化を図る。【構成】 基板11上の第1の配線12を覆う第1の層間絶縁膜13を成膜し、絶縁膜16,17を上面に形成した第2の配線14,15を第1の層間絶縁膜13上に形成する。各第2の配線14,15と各絶縁膜16,17とを覆う第2の層間絶縁膜18を成膜し、第1の配線12上で第2の配線14,15間の第1,第2の層間絶縁膜13,18 にコンタクトホール19を設け、その側壁に絶縁性のサイドウォール20を形成し、コンタクトホール19を介して第1の配線12に接続する第3の配線21を第2の層間絶縁膜18上に形成したものである。あるいは、コンタクトホール19内に導電性のプラグ(図示せず)を設け、プラグに接続する第3の配線21を形成したものである。
Claim (excerpt)：
基板上に形成した第1の配線と、前記第1の配線を覆う状態に成膜した第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成した複数の第2の配線と、前記各第2の配線上に形成した絶縁膜と、前記各第2の配線と前記絶縁膜とを覆う状態に成膜した第2の層間絶縁膜と、前記第1の配線の所定位置における前記第2の配線間の前記第2の層間絶縁膜と前記第1の層間絶縁膜とに設けたコンタクトホールと、前記コンタクトホールの側壁に形成した絶縁性のサイドウォールと、前記コンタクトホールを介して前記第1の配線に接続するもので、前記第2の層間絶縁膜上に形成した第3の配線とよりなることを特徴とする多層配線構造。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平2-122650
  • 特開平4-139859
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-066431   Applicant：株式会社東芝
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