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J-GLOBAL ID：200903008630856120

金属膜の研磨方法及びその研磨装置

Inventor： 久保 亨 ,  鈴木 三恵子
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997123940
Publication number (International publication number)：1998312981
Application date： May. 14, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウェハーの外周端縁に付着した余分な金属膜を効率よく除去する。【解決手段】 半導体ウェハー1を酸化性溶液中に浸漬し、酸化性溶液のエッチング効果を利用して半導体ウェハー1の外周端縁に付着した余分なW膜11を、ウェハー表面側のW膜を研磨する前に予め除去する。

Claim (excerpt)：

金属膜研磨前に、余分な金属膜が付着したウェハを少なくとも1種類以上の酸化性溶液に一定時間浸漬し、該酸化性溶液を用いて前記余分な金属膜をエッチングして除去することを特徴とする金属膜の研磨方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306

FI (2)：

H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/306 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 集積回路デバイス作製における全体的平坦化法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-294282   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 半導体装置の製造方法およびその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-354317   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭59-013331