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J-GLOBAL ID：200903008659267477

SiC半導体デバイス

Inventor：
浅井 隆一

About 浅井 隆一


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999004177
Publication number (International publication number)：2000208438
Application date： Jan. 11, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】SiC半導体デバイスにおいて、オーミック電極としてニッケルを用いたときの、炭素層形成によるハンダづけ性等への悪影響を回避する。【解決手段】オーミック電極の材質を、ニッケルと炭化物を生成し易い金属との合金とし、炭素を炭化物にして消費することにより、炭素層の形成を防止する。炭化物を生成し易い金属としては、Ti、Zr、V等のIVa族、Va族、VIa族金属が良い。
Claim (excerpt)：
SiCを用いた半導体テバイスにおいて、オーミック電極の材質を、炭化物を形成し易い金属とニッケルとの合金としたことを特徴とするSiC半導体デバイス。
F-Term (8)：
4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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