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J-GLOBAL ID：200903008670591057

半導体ウェーハ

Inventor： 佐藤 賢治
Applicant, Patent owner： 山形日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992236714
Publication number (International publication number)：1994084734
Application date： Sep. 04, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体ウェーハの認識に用いるレーザー印字によるウェーハ材の溶融飛散物による半導体装置の破壌防止、およびウェーハ裏面への印字の際の平面度悪化防止する。【構成】半導体ウェーハ2の裏面(半導体装置を形成しない面)にくぼみ1を形成し、その領域をレーザー印字領域とする。

Claim (excerpt)：

半導体装置のパターンを形成しない面の一部の領域がくぼんでいることを特徴とする半導体ウェーハ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-048685
  
• 特開平3-183113
  
• 半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-019378   Applicant：ソニー株式会社