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J-GLOBAL ID：200903008689991528

薄膜形成方法

Inventor： 片桐 智治 ,  山本 浩 ,  近藤 英一 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993057254
Publication number (International publication number)：1994272041
Application date： Mar. 17, 1993
Publication date： Sep. 27, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、CVD法により膜質のよいAl-Cu合金膜を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明に係る金属薄膜の形成方法は、原料ガスと、水素ガスとを反応容器内に供給し、水素ガス雰囲気中で化学気相成長法によってAl合金膜を形成する薄膜形成方法において、原料ガスとしては、付加生成物が付加された水素化アルミニウムのガスと、酸素及びハロゲンを含まない有機金属化合物のガスとを用いることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

原料ガスと、水素ガスとを反応容器内に供給し、水素ガス雰囲気中で化学気相成長法によってAl合金膜を形成する薄膜形成方法において、前記原料ガスとしては、付加生成物が付加された水素化アルミニウムのガスと、酸素及びハロゲンを含まない有機金属化合物のガスとを用いることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-128853
  
• 記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-294727   Applicant：株式会社リコー
• 特開平1-301339