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J-GLOBAL ID：200903008699071400

表面処理方法及びその装置

Inventor： 宮川 拓也 ,  筒井 匠司 ,  森 義明
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996302540
Publication number (International publication number)：1997205272
Application date： Oct. 28, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 プラズマダメージがない状態で被処理体の表面を改質する処理ができ、しかも被処理体の設置場所の自由度が大きい表面処理方法及びその装置を提供すること。【解決手段】 ワーク10の半田付け部分12の濡れ性を高めるために、まず、CF4等のハロゲン化合物を含む原料ガスを表面処理ユニツト30内のプラズマ発生部60に導入する。このとき、キャリアガス(Heを除く)により圧送してもよい。プラズマ発生部60にて、大気圧下で、原料ガスを0〜50kHzの低周波数の交流電圧又は直流電圧が印加される電極により励起して分解し、反応性の高いフッ素F2を生成する。フッ素F2を含む処理ガスをワークに接触させて、ワークを表面処理する。このとき、寿命の短いフッ素ラジカルを主体として処理していないので、ワークの位置は自由に設定できる。空気をキャリアガスとするときは、原料ガスの分解後に混合して、オゾンの発生を抑制する。ハロゲン化合物の分解を、水分を含む雰囲気にて実施すると、ハロゲン化水素が効率よく分解される。

Claim (excerpt)：

ハロゲン又はハロゲン化水素を含む処理ガスを被処理体の表面に接触させ、前記被処理体の表面を処理することを特徴とする表面処理方法。

IPC (7)：

H05K 3/34 501 ,  B01J 19/08 ,  B23K 1/20 ,  C23F 1/12 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

FI (8)：

H05K 3/34 501 Z ,  B01J 19/08 E ,  B01J 19/08 F ,  B23K 1/20 K ,  C23F 1/12 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特表平5-500026
  
• エッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-219863   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-216823