液晶表示装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996251917
Publication number (International publication number)：1998096956
Application date： Sep. 24, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】画素部の開口率の向上と補助容量の確保を両立させて、表示品位を向上させ、高輝度でコントラスト比が高く、且つ高品質な画像表示を実現でき、且つ製造工程も簡易な液晶表示装置を提供することである。【解決手段】信号線の上に絶縁膜を介して画素電極を形成することにより、開口率を向上することができる。さらに、TFTの半導体層の一部と補助容量線との間で補助容量を形成することとして、充分な補助容量を実現することができる。また、その補助容量を構成する半導体層は、高濃度にドーピングすることにより、補助容量の時定数が小さく、書き込み時間も充分に小さくすることができる。さらに、そのような半導体層へのドーピングは、TFTのゲートメタルをマスクとして行うことにより、メタル化のプロセスも簡略なものとすることができる。

Claim (excerpt)：

第1の基板と、前記第1の基板と対向して配置され、その対向面上に対向電極を有する第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持された液晶層とを有し、前記第1の基板は、その表示領域上に、複数行、複数列のマトリックス状に配置され、各画素の液晶への映像信号の供給を制御する複数の画素スイッチングTFTと、前記表示領域の前記列方向に配線され、前記画素スイッチングTFTのソース側に接続されて前記画素スイッチングTFTに映像信号を供給する信号線と、前記信号線とほぼ直行して前記基板上に配線され、前記画素スイッチングTFTのゲート電極に接続されて前記画素スイッチングTFTのスイッチング動作を制御する走査線と、前記画素スイッチングTFTのドレイン側のコンタクト部に接続され、前記液晶に前記映像信号電圧を印加する画素電極と、前記走査線とほぼ平行して、前記基板上に配線され、補助容量としてのコンデンサを構成する補助容量線とを有する、液晶表示装置であって、前記画素電極は、少なくとも1層以上の絶縁膜を介して前記信号線よりも上層に配置され、前記走査線は、各電極層が互いに同一または異なる材料により構成された少なくとも2層以上の電極層よりなる積層構造を有し、前記補助容量線は、前記走査線の前記積層構造のうちで、前記基板側に位置する最下層の電極層を除く他の電極層のうちの少なくともいずれかと同一の電極層により構成されている、液晶表示装置。

IPC (5)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 616 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-306560 Applicant：三洋電機株式会社
薄膜半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-036164 Applicant：ソニー株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-242875 Applicant：三洋電機株式会社

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