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J-GLOBAL ID：200903008760969431

半導体レーザ装置

Inventor： 芦刈 哲也 ,  大島 昇 ,  兼岩 進治
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995312909
Publication number (International publication number)：1997153658
Application date： Nov. 30, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 気相成長法によって作成された半導体レーザを光学式記録媒体の光源に使用する際の、ディスクからのサブビームの端面入射を防止できる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 ヒートシンク8上の半導体レーザ1の出射側前面に、レーザ出射光の障壁とならず、且つ光学式記録媒体からの反射光L3を遮光する遮光体11を設ける。また、遮光体11には、光学式記録媒体からの反射光をこの光学式記録媒体とは別方向にさらに反射させる反射面12が設ける。

Claim (excerpt)：

気相成長法によって作成された半導体レーザと、該半導体レーザを搭載するヒートシンクとを備え、外部の光学式記録媒体にレーザ光を出射する半導体レーザ装置において、前記ヒートシンク上の前記半導体レーザの出射側前面に、レーザ出射光の障壁とならず、且つ前記光学式記録媒体からの反射光を遮光する遮光体を設けてなることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G11B 7/125 ,  H01S 3/025

FI (3)：

H01S 3/18 ,  G11B 7/125 A ,  H01S 3/02 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-024488
  
• 特開昭63-265483
  
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-121641   Applicant：三洋電機株式会社