シリコンウエハの清浄化方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木下茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003001131
Publication number (International publication number)：2004214492
Application date： Jan. 07, 2003
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：

【課題】シリコンウエハの熱処理工程に用いられる炭化ケイ素製ボートからの遊離カーボンの放出を永続的に防止することができ、高品質のシリコンウエハを安定的に供給することができるシリコンウエハの清浄化方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハを炭化ケイ素製ボートに載置して、不活性ガス雰囲気下、1000〜1300°Cでシリコンウエハを熱処理する工程と、前記シリコンウエハの1000°C以下での冷却過程において、前記炭化ケイ素製ボートに載置した状態で酸化処理する工程と、RCA洗浄またはオゾン水とフッ化水素酸洗浄を行う工程を備えているシリコンウエハの清浄化方法を用いる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

シリコンウエハを炭化ケイ素製ボートに載置して、不活性ガス雰囲気下、1000〜1300°Cでシリコンウエハを熱処理する工程と、前記シリコンウエハの1000°C以下での冷却過程において、前記炭化ケイ素製ボートに載置した状態で酸化処理する工程とを備えていることを特徴とするシリコンウエハの清浄化方法。

IPC (1)：

H01L21/304

FI (2)：

H01L21/304 645A , H01L21/304 642A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体用治工具の清浄化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-320399 Applicant：住友金属工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-103080 Applicant：株式会社東芝
半導体シリコンウェハの処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-188352 Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社

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Cited by examiner (5)

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