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J-GLOBAL ID：200903008789846533

光起電力素子アレーの製造方法

Inventor： 水谷 匡希 ,  中川 克己
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996062818
Publication number (International publication number)：1997260695
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】 レーザー照射によって直列接続する光起電力素子アレーのシリーズ抵抗の増大を抑制し、変換効率が高く、耐久性を向上した光起電力素子アレーの製造方法を提供する。【解決手段】 金属層を形成する第1工程と、少なくともフッ素を含む第1の透明導電層を形成する工程2と、前記金属層及び前記透明導電層を電気的に分離したn個の領域、A1 からAn に形成する第3工程と、光電変換層を形成する第4工程と、第2の透明導電層を形成し、前記第2の透明導電層を前記A1 からAnに対応して電気的に分離した領域B1 からBn に形成する第5工程と、前記第1の透明導電層の領域Ai と前記第2の透明導電層の領域Bi+1 (1≦i≦n-1)をレーザー照射によって電気的に接続する第6工程と、を含むことを特徴とする光起電力素子アレーの製造方法。

Claim (excerpt)：

金属層を形成する第1工程と、少なくともフッ素を含む第1の透明導電層を形成する工程2と、前記金属層及び前記透明導電層を電気的に分離したn個の領域、A1 からAn に形成する第3工程と、光電変換層を形成する第4工程と、第2の透明導電層を形成し、前記第2の透明導電層を前記A1 からAn に対応して電気的に分離した領域B1 からBn に形成する第5工程と、前記第1の透明導電層の領域Ai と前記第2の透明導電層の領域Bi+1 (1≦i≦n-1)をレーザー照射によって電気的に接続する第6工程と、を含むことを特徴とする光起電力素子アレーの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 光起電力素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-280168   Applicant：キヤノン株式会社
• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-247452   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平1-194208
  
• 特表平6-506266
  
• 特開昭61-260681