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J-GLOBAL ID:200903008854313190

プラズマエッチング用電極板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高畑 正也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995033035
Publication number (International publication number):1996199399
Application date: Jan. 30, 1995
Publication date: Aug. 06, 1996
Summary:
【要約】【目的】 消耗が少なく、パーティクルの発生がなく、均一なエッチングレートで操業することができるガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板を提供する。【構成】 プラズマエッチング用電極板となるガラス状炭素を陽極とし、25°Cの1N-HNO3 溶液中において定電流5mA/cm2で24時間電解処理した際に、電解処理後の中心線平均粗さ(Ra)が2μm で、最大粗さ(Rmax)が15μm 以下の表面粗さを示すガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板。
Claim (excerpt):
プラズマエッチング用電極板となるガラス状炭素を陽極として、25°Cの1N-HNO3 溶液中において定電流5mA/cm2で24時間電解処理した際に、電解処理後の中心線平均粗さ(Ra)が2μm 以下で、最大粗さ(Rmax)が15μm 以下の表面粗さを示す性状のガラス状炭素からなることを特徴とするプラズマエッチング用電極板。
IPC (3):
C25F 3/02 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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