フォトリソグラフィー構造よりも狭いピッチを有するパターン

Inventor： , , , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野村泰久
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008501908
Publication number (International publication number)：2008536297
Application date： Mar. 03, 2006
Publication date： Sep. 04, 2008
Summary：

集積回路(100)の異なる大きさの構造を、二つの別個に形成されたパターン(177)および(230)をあわせることによって形成したマスクを用いた基板(110)のエッチングで構成する。第一のパターン(177)の比較的小さい構造(175)を形成するためにピッチマルチプリケーションを用い、第二のパターン(230)の比較的大きな構造を形成するために従来のフォトリソグラフィーを用いる。フォトレジストをパターン化して、その後、そのパターンをアモルファスカーボン層にエッチングするによって、ピッチマルチプリケーションを行う。その後、側壁のスペーサー(175)をアモルファスカーボンの側壁に形成する。そのアモルファスカーボンを除去し、第一のマスクパターン(177)を決定する側壁のスペーサー(175)を残す。その後、平らな表面を形成するために、スペーサー(175)の周辺に底部減反射コーティング(BARC)を付着し、BARCの上にフォトレジスト層を形成する。次に、フォトレジストを、第二のパターン(230)を形成するために、従来のフォトリソグラフィーによってパターン化し、その後、第二のパターン(230)をBARCへ転写する。第一のパターン(177)と第二のパターン(230)から作った、組み合わせたパターン(177、230)を内在するアモルファスシリコン層(150)に転写し、BARCおよびフォトレジスト物質を除去するために、パターンから炭素の除去を行う。その後、組み合わせたパターン(177、230)は酸化ケイ素層(155)に転写され、それからアモルファスカーボンマスク層(160)に転写される。その後、異なる大きさの構造を有する組み合わせたマスクパターン(177、230)を、アモルファスカーボンハードマスク層(160)を通して内在する基板(110)へとエッチングする。【選択図】図17

Claim (excerpt)：

集積回路を製造する方法であって、基板の上に複数のマンドレルを形成するステップ、前記マンドレルの側壁にスペーサーを形成するステップ、前記スペーサーによって決定されるスペーサーパターンを形成するために、前記マンドレルを前記スペーサーに対して選択的に除去するステップ、平坦な上部表面を形成するために平坦化物質を前記スペーサーの周辺に付着させるステップ、前記平坦化物質にパターンを形成するステップ、前記スペーサーのパターンおよび前記平坦化物質中の前記パターンを、内在する上部ハードマスク層に転写し、前記上部ハードマスク層に統合されたパターンを構成するステップ、前記統合されたパターンを内在する下部ハードマスク層に転写するステップ、ならびに、前記統合されたパターンを、前記基板を覆っているアモルファスカーボンの層に転写するステップを含むことを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 , H01L 21/027 , H01L 21/321

FI (4)：

H01L21/302 105A , H01L21/30 502C , H01L21/30 514A , H01L21/88 C

F-Term (42)：

5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA13 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB15 , 5F004DB26 , 5F004DB30 , 5F004EA03 , 5F004EA06 , 5F004EA07 , 5F004EA10 , 5F004EA12 , 5F004EA16 , 5F004EA22 , 5F004EB04 , 5F004EB05 , 5F033HH08 , 5F033HH25 , 5F033HH32 , 5F033QQ07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ16 , 5F033QQ28 , 5F033VV16 , 5F033WW01 , 5F033WW03 , 5F033XX03 , 5F046AA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ピッチ増倍を使用する集積回路の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-530349 Applicant：マイクロンテクノロジー,インコーポレイテッド

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