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J-GLOBAL ID：200903008910205826

放電プラズマ処理装置

Inventor： 田辺 正文 ,  坪井 秀夫 ,  伊藤 正博 ,  林 俊雄 ,  内田 岱二郎
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 八木田 茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994052416
Publication number (International publication number)：1995263189
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 真空チャンバ内を超高真空に維持しながら、磁気中性線放電プラズマを利用して基板等を処理することができる放電プラズマ処理装置を提供すること。【構成】 磁気中性線放電プラズマを形成する電場発生コイルを真空チャンバ内に設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内に連続して存在する磁場ゼロの位置である磁気中性線を形成するようにした磁場発生手段と、電場発生手段として真空チャンバ内に設けられ、磁場発生手段によって真空チャンバ内に形成された磁気中性線に沿って電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生させる電場発生コイルとを設けたことを特徴とする放電プラズマ処理装置。

IPC (7)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-138432
  
• 放電プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-052418   Applicant：日本真空技術株式会社