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J-GLOBAL ID：200903008929230830
半導体発光素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998098839
Publication number (International publication number)：1999298040
Application date： Apr. 10, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 酸素を含む誘電体膜を設けた従来の半導体素子においては、長期に渡る通電等において誘電体膜中の酸素に起因して緩やかにNiの酸化が進み電極部分が高抵抗化するといった問題があった。さらには、製造工程において、誘電体膜を形成した後に、電極と半導体との合金化アロイ等の熱処理プロセスを行ったときにも、電極部分が高抵抗化した。透光性オーミック電極を備え、シート抵抗が小さく更に熱的安定性が高く、高温プロセス後に於いても、高い導電性の発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 窒化物系半導体に接するオーム性電極と、該オーム性電極の少なくとも一部を覆う酸化物絶縁膜とを備えた半導体発光素子において、該オーム性電極は、該窒化物半導体に接触する金属膜と、該金属膜上に形成された、この金属より高融点の導電膜と酸素を含む誘電体膜からなる半導体素子。
Claim (excerpt)：
窒化物系半導体に接するオーム性電極と、該オーム性電極の少なくとも一部を覆う酸化物絶縁膜とを備えた半導体発光素子において、該オーム性電極は、該窒化物半導体に接触する金属膜と、該金属膜上に形成された該金属膜より高融点の導電膜とから構成され、かつ該導電膜上に誘電体膜が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
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