Pat

J-GLOBAL ID：200903024443571509

3族窒化物半導体の電極及びその電極を有した素子

Inventor： 小池 正好 ,  梅崎 潤一 ,  小出 典克 ,  浅見 慎也 ,  山崎 史郎 ,  村上 正紀 ,  小出 康夫
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996178555
Publication number (International publication number)：1998012567
Application date： Jun. 18, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】3族窒化物半導体に対する電極において、オーミック性の改善、低抵抗化、高温特性の安定を図る。【解決手段】第2コンタクト層72の上にNiから成る厚さ25Åの第1電極層81が形成され、その第1電極層81の上にTaから成る厚さ60Åの第2電極層82が形成されている。この第1電極層81と第2電極層82とでp型GaN に対する電極層8が構成される。一方、n+ 層3上には厚さ100 ÅのTaから成る第1金属層11が形成され、その第1金属層11の上には厚さ3000ÅのAlから成る第2金属層12が形成されている。この第1金属層11と第2金属層12とで、電極パッド10が形成されている。この構成により、p層、n層の電極は、低抵抗で且つオーミック性が向上し、高温領域で電気的特性が安定した。

Claim (excerpt)：

3族窒化物から成る半導体の電極において、3族窒化物半導体と700°C以上の高温でのみ反応する融点2400°C以上の高融点金属を3族窒化物半導体上に形成し、700°C以上の温度で熱処理して電極としたことを特徴とする3族窒化物から成る半導体の電極。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電極構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-167124   Applicant：シャープ株式会社
• n型窒化物半導体の電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-224913   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 白金と炭化ケイ素との間のオーム接点構造体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-507541   Applicant：クリー・リサーチ・インコーポレーテッド, ノース・キャロライナ・ステイト・ユニバーシティ