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J-GLOBAL ID：200903009003179896

SOI基板及びその製造方法

Inventor： 冨田 真一 ,  池田 安伸 ,  佐野 正和
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 森 正澄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996066027
Publication number (International publication number)：1997260619
Application date： Mar. 22, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【目的】SOI層に結晶欠陥の無い、製造コストの安いSOI基板を提供すること。【構成】第1の半導体ウエーハ1と第2の半導体ウエーハ2を接着して形成されるSOI基板の製造方法において、第1の半導体ウエーハ1は、少なくとも、主面側に格子間酸素濃度が1×1018atoms/cm3以下の層を備えるとともに主面が鏡面であり、且つ、第2の半導体ウエーハ2は、少なくとも主面が鏡面であり、第1及び第2の半導体ウエーハ1,2のうち、少なくとも一方の半導体ウエーハの主面に酸化膜を形成した後、双方の主面同士を密着するとともに熱処理して接着する工程と、第1の半導体ウエーハ1の裏面側より薄膜化し、前記格子間酸素濃度が1×1018atoms/cm3以下の層だけを残して、その面を鏡面化する工程と、を備えた構成のSOI基板の製造方法及び、これにより製造されるSOI基板。

Claim (excerpt)：

第1の半導体ウエーハと第2の半導体ウエーハを接着して形成されるSOI基板において、前記第1の半導体ウエーハは、少なくとも、主面側に格子間酸素濃度が1×1018atoms/cm3(old ASTM、以下同じ)以下の層を備えるとともに主面が鏡面であり、且つ、前記第2の半導体ウエーハは、少なくとも主面が鏡面であり、 前記第1及び第2の半導体ウエーハのうち、少なくとも一方の半導体ウエーハの主面に酸化膜が形成されて、双方の主面同士が密着されるとともに熱処理されて接着されるものであって、SOI層の格子間酸素濃度が1×1018atoms/cm3以下で且つSOI層厚が5μm以下であることを特徴とするSOI基板。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321

FI (3)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• SOI基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-079602   Applicant：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社