Pat

J-GLOBAL ID：200903017638157026

SOI基板とその製造方法

Inventor： 三谷 清 ,  片山 正健 ,  中澤 一志
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994079602
Publication number (International publication number)：1995263652
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 厚肉のSOI層を有するSOI基板のSOI層の主としてOSFからなる結晶欠陥の発生を防止したSOI基板の提供。【構成】 半導体素子形成のための活性層となる第1のシリコンウエーハが格子間酸素濃度16ppma以下のシリコンウエーハであって、その結合面側に熱酸化によってシリコン酸化膜を形成し、第1のシリコンウエーハの該シリコン酸化膜と、支持材となる第2のシリコンウエーハを直接重ね合わせ、高温の結合熱処理をして結合ウエーハを得、結合ウェーハの第1のシリコンウエーハ側を研削、研磨することにより、第2のシリコンウエーハ上にシリコン酸化膜を介して厚さが5μm以上で、OSFのない単結晶シリコン層を有するいわゆる厚物SOI基板を得る。

Claim (excerpt)：

半導体素子を形成するためのSOI層(単結晶シリコン層)となる第1のシリコンウエーハと、それを支持するための台材となる第2のシリコンウエーハとを、シリコン酸化膜を介して結合せしめたSOI基板であって、前記第1のシリコンウエーハの格子間酸素濃度は16ppma以下(JEIDA規格)とし、かつ前記SOI層の厚さは5μm以上で、その全層がDZ(デヌーデッドゾーン)層であることを特徴とするSOI基板。

IPC (4)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/762

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-068105   Applicant：株式会社日本自動車部品総合研究所