半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994155957
Publication number (International publication number)：1996023095
Application date： Jul. 07, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】信頼性及び絶縁効果の高い絶縁膜を有する半導体装置を低温プロセスで簡単に得ること。【構成】 Nラジカル3をSi酸化膜(ゲート酸化膜)2に導入しておくことにより、ゲート電極からBイオンが偏析しても、このイオンが、チャネル領域につき抜けて、チャネル領域の特性に影響を与えることを阻止できる。また、前記ゲート電極に大電流が流れても、絶縁膜が劣化しにくい。また、Nラジカル3の導入工程は、低温で容易に行え、酸化膜2が受けるダメージもほとんどない。

Claim (excerpt)：

活性窒素を含有した絶縁膜を有する半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/283 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/90 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-199333 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-050428
特開平4-028228

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