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J-GLOBAL ID：200903009015569975

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 高柳 万里子 ,  福井 大伸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001331158
Publication number (International publication number)：2002343881
Application date： Oct. 29, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 多結晶SiGe膜によるゲート電極の不純物活性化率を最適化した半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1に、pチャネルMISFET形成領域にn型ウェル3を、nチャネルMISFET形成領域にp型ウェル4を形成する。ゲート絶縁膜5を形成した後、ゲート電極として用いられる多結晶SiGe膜7を堆積する。nチャネルMISFET領域をシリコン窒化膜6によりマスクして、pチャネル領域の多結晶SiGe膜7を選択的に熱酸化することにより、そのGe濃度を高くする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板に形成された、多結晶シリコン・ゲルマニウム膜により形成された第1のゲート電極を持つ第1のMISFETと、前記半導体基板に形成された、前記第1のゲート電極とはゲルマニウム濃度が異なる多結晶シリコン・ゲルマニウム膜により形成された第2のゲート電極を持つ第2のMISFETと、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/28 301 D ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 P

F-Term (96)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD88 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH16 ,  5F048AA00 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BC01 ,  5F048BC05 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA01 ,  5F140AA25 ,  5F140AA39 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BF37 ,  5F140BF56 ,  5F140BG03 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG20 ,  5F140BG26 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG33 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BH06 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ18 ,  5F140BK01 ,  5F140BK02 ,  5F140BK03 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF00 ,  5F140CF03 ,  5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-047462   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子及びその配線の形成方法とゲート電極の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-192725   Applicant：松下電器産業株式会社