Pat
J-GLOBAL ID:200903009116128929

薄膜キャパシタ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994298679
Publication number (International publication number):1996162617
Application date: Dec. 01, 1994
Publication date: Jun. 21, 1996
Summary:
【要約】【目的】 RuO2 を下部電極に用いた場合においても誘電率が高くリーク電流を低くすること。【構成】 下部電極であるRuO2 上に酸素が欠乏した酸化物誘電体層を設け、この上に酸化物誘電体薄膜を積層する。【効果】 RuO2 を下部電極に用いた場合においても誘電率が高くリーク電流の低い薄膜キャパシタが得れる。
Claim (excerpt):
下部電極上に設けた酸素が欠乏した酸化物誘電体層と、該酸化物誘電体層上に積層した酸化物誘電体薄膜とを含むことを特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (4):
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2):
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page