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J-GLOBAL ID：200903009129637016

ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム誘導体の製造方法及びその方法により製造されるビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム誘導体並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法

Inventor：
岡本 浩治

About 岡本 浩治


Applicant, Patent owner：
田中貴金属工業株式会社

About 田中貴金属工業株式会社


Agent (1)： 田中 大輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001114726
Publication number (International publication number)：2002308894
Application date： Apr. 13, 2001
Publication date： Oct. 23, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【解決課題】 高純度のビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム誘導体が製造可能であり、且つ、工程数が少ないビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム誘導体の製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明は、ビス(シクロペンタジエニル)鉄誘導体(フェロセン誘導体)とルテニウム化合物とを不活性ガス中、密閉容器中で加熱反応させてなる、ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムのアルキル誘導体の製造方法である。ここで、不活性ガスは、ヘリウム、アルゴン、窒素とし、加熱温度を200〜350°Cとするのが好ましい。
Claim (excerpt)：
化1で示されるビス(シクロペンタジエニル)鉄誘導体とルテニウム化合物とを不活性ガス中、密閉容器中で加熱反応させてなる、化2で示されるビス(シクロペンタジエニル)ルテニウムのアルキル誘導体の製造方法。【化1】(式中、R1、R2の少なくともいずれかは、プロピル基、ブチル基等の炭素数3以上のアルキル基である。)【化2】(式中、R1、R2は、上記と同義である。)
IPC (5)：
C07F 17/02 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C07F 15/00
FI (5)：
C07F 17/02 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  C07F 15/00 A
F-Term (19)：
4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AB78 ,  4H050AB91 ,  4H050BB10 ,  4H050BB61 ,  4H050BD80 ,  4H050BE62 ,  4H050BE90 ,  4H050WB11 ,  4H050WB21 ,  4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104DD45 ,  4M104GG16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • Ligand exchange in the reaction of ferrocene and ruthenium trichloride

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