Pat

J-GLOBAL ID：200903009148205496

インジウム含有ウエハおよびその製造方法

Inventor： 田中 聡 ,  岩▲崎▼ 孝
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002215456
Publication number (International publication number)：2004063491
Application date： Jul. 24, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】インジウム含有ウエハの特性を精度よく測定することができかつ非破壊試験である水銀C-V法を適用可能とするために、水銀除去を確実に行なうことのできるインジウム含有ウエハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかるインジウム含有ウエハは、表面に付着した水銀を除去する目的で最外表面層に形成された付加的な化合物半導体からなる水銀除去層を有することを特徴とする。また、本発明にかかるインジウム含有ウエハの製造方法は、上記水銀除去層の表面に付着させた水銀を電極として、該ウエハの電気特性を評価した後、該水銀除去層を除去することにより表面に付着した水銀を除去することを特徴とする。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

表面に付着した水銀を除去する目的で最外表面層に形成された付加的な化合物半導体からなる水銀除去層を有することを特徴とするインジウム含有ウエハ。

IPC (3)：

H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L31/10

FI (3)：

H01L21/66 L ,  H01L21/02 Z ,  H01L31/10 Z

F-Term (10)：

4M106AA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA12 ,  5F049MA07 ,  5F049MB07 ,  5F049NA08 ,  5F049NA20 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049SS04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-340508   Applicant：三菱電機株式会社