Pat

J-GLOBAL ID：200903009229927780

酸化物単結晶膜の製造方法及びその装置

Inventor： 古久根 伸征 ,  山口 和明 ,  十川 昭治 ,  大内 龍一 ,  川口 竜生 ,  今枝 美能留
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994118093
Publication number (International publication number)：1995315983
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】液相エピタキシャル法によって酸化物単結晶基板上に酸化物単結晶膜を形成するのに際して、基板の割れを防止することであり、酸化物単結晶膜の生産性を高くすることであり、酸化物単結晶膜の結晶性を向上させることである。【構成】溶融体12を第一の炉21の中に保持し、第一の炉21内で酸化物単結晶基板3を溶融体12に接触させると共に、第一の炉21内と分離された第二の炉24内で酸化物単結晶基板3の温度を調整する。第二の炉24内で酸化物単結晶基板3を加熱し、酸化物単結晶基板3を第一の炉21内へと移動させる。酸化物単結晶基板を第一の炉21内から第二の炉24内へと移動させ、第二の炉24内で酸化物単結晶基板を冷却する。

Claim (excerpt)：

酸化物単結晶基板を過冷却状態の溶融体に接触させてその上に酸化物単結晶膜をエピタキシャル成長させる製造方法であって、前記溶融体を第一の炉の中に保持し、この第一の炉内で前記酸化物単結晶基板を前記溶融体に接触させると共に、前記第一の炉と分離された第二の炉内で前記酸化物単結晶基板の温度を調整することを特徴とする、酸化物単結晶膜の製造方法。

IPC (3)：

C30B 19/00 ,  C30B 35/00 ,  C30B 29/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 液相エピタキシャル成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-231339   Applicant：株式会社村田製作所