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J-GLOBAL ID:200903009246281303
化学気相蒸着装置およびこれを用いたカーボンナノチューブ合成方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
服部 雅紀
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000225525
Publication number (International publication number):2001081564
Application date: Jul. 26, 2000
Publication date: Mar. 27, 2001
Summary:
【要約】【課題】 カーボンナノチューブを大量に合成するための化学気相蒸着装置およびそれを用いたカーボンナノチューブ合成方法を提供する。【解決手段】 基板1300上にカーボンナノチューブ3000を成長させる化学気相蒸着装置において、水平方向に平行に多数枚搭載される基板1300を各々支持する支持突起、および支持突起が設けられた多数本の垂直軸を含むボートを利用する。また、両端部に反応ガスの供給および排出のための通路をもち、ボートが内部に装着されるように直方体形状の内部形状をなす反応炉、反応炉の外部に設けられる加熱手段を含む化学気相蒸着装置を提供する。このような化学気相蒸着装置を用いてカーボンナノチューブを大量に合成することができる。
Claim (excerpt):
基板上にカーボンナノチューブを形成させる化学気相蒸着装置において、水平方向に平行に多数枚搭載される前記基板を各々支持する支持突起、および前記支持突起が設けられた多数本の垂直軸を含むボートと、両端部に反応ガスの供給および排出のための通路をもち、前記ボートを装着するため内部が直方体形状をなす反応炉と、前記反応炉の外部に設けられる加熱手段と、を備えていることを特徴とする化学気相蒸着装置。
IPC (5):
C23C 16/26
, B82B 3/00
, C01B 31/02 101
, C30B 29/66
, H01L 21/205
FI (5):
C23C 16/26
, B82B 3/00
, C01B 31/02 101 F
, C30B 29/66
, H01L 21/205
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体製造装置のウェーハ台装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-210971
Applicant:国際電気株式会社
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炭素質ファイバーの作成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-028087
Applicant:科学技術振興事業団, 松下電器産業株式会社
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グラファイトファイバーの作成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-210161
Applicant:新技術事業団, 菊地理恵, 大木芳正
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