太陽電池

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池内寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000057481
Publication number (International publication number)：2000323733
Application date： Mar. 02, 2000
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体層の電子親和力、禁制帯幅および材料を好適に組み合わせることによって、変換効率が高い太陽電池を提供する。【解決手段】基板11と、基板11上に順次積層された下部電極膜12、p形の半導体層13(第2の半導体層)、n形の半導体層14(第1の半導体層)、上部電極膜15および反射防止膜16と、上部電極膜15上に形成された取り出し電極17とを含む。半導体層13はCdを含まず、半導体層14は光吸収層であり、半導体層14の禁制帯幅Eg1と半導体層13の禁制帯幅Eg2とが、Eg1>Eg2の関係を満たし、半導体層14の電子親和力χ1(eV)と半導体層13の電子親和力χ2(eV)とが、0≦(χ2-χ1)<0.5の関係を満たす。

Claim (excerpt)：

n形である第1の半導体層とp形である第2の半導体層とを含み、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とがpn接合を形成している太陽電池であって、前記第1の半導体層はCdを含まず、前記第2の半導体層は光吸収層であり、前記第1の半導体層の禁制帯幅Eg1と前記第2の半導体層の禁制帯幅Eg2とが、Eg1>Eg2の関係を満たし、前記第1の半導体層の電子親和力χ1(eV)と前記第2の半導体層の電子親和力χ2(eV)とが、0≦(χ2-χ1)<0.5の関係を満たすことを特徴とする太陽電池。

F-Term (4)：

5F051AA07 , 5F051AA10 , 5F051DA03 , 5F051DA11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

太陽電池及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-265082 Applicant：松下電器産業株式会社
カルコパイライト系多元化合物半導体薄膜光吸収層からなる薄膜太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-299791 Applicant：昭和シェル石油株式会社
薄膜太陽電池および該薄膜太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-152762 Applicant：昭和シェル石油株式会社

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Cited by examiner (2)

太陽電池及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-265082 Applicant：松下電器産業株式会社
カルコパイライト系多元化合物半導体薄膜光吸収層からなる薄膜太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-299791 Applicant：昭和シェル石油株式会社

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