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J-GLOBAL ID：200903009256133663
太陽電池
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000057481
Publication number (International publication number)：2000323733
Application date： Mar. 02, 2000
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体層の電子親和力、禁制帯幅および材料を好適に組み合わせることによって、変換効率が高い太陽電池を提供する。【解決手段】 基板11と、基板11上に順次積層された下部電極膜12、p形の半導体層13(第2の半導体層)、n形の半導体層14(第1の半導体層)、上部電極膜15および反射防止膜16と、上部電極膜15上に形成された取り出し電極17とを含む。半導体層13はCdを含まず、半導体層14は光吸収層であり、半導体層14の禁制帯幅Eg<SB>1</SB>と半導体層13の禁制帯幅Eg<SB>2</SB>とが、Eg<SB>1</SB>>Eg<SB>2</SB>の関係を満たし、半導体層14の電子親和力χ<SB>1</SB>(eV)と半導体層13の電子親和力χ<SB>2</SB>(eV)とが、0≦(χ<SB>2</SB>-χ<SB>1</SB>)<0.5の関係を満たす。
Claim (excerpt)：
n形である第1の半導体層とp形である第2の半導体層とを含み、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とがpn接合を形成している太陽電池であって、前記第1の半導体層はCdを含まず、前記第2の半導体層は光吸収層であり、前記第1の半導体層の禁制帯幅Eg<SB>1</SB>と前記第2の半導体層の禁制帯幅Eg<SB>2</SB>とが、Eg<SB>1</SB>>Eg<SB>2</SB>の関係を満たし、前記第1の半導体層の電子親和力χ<SB>1</SB>(eV)と前記第2の半導体層の電子親和力χ<SB>2</SB>(eV)とが、0≦(χ<SB>2</SB>-χ<SB>1</SB>)<0.5の関係を満たすことを特徴とする太陽電池。
F-Term (4)：
5F051AA07
, 5F051AA10
, 5F051DA03
, 5F051DA11
