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J-GLOBAL ID：200903009259236790

薄膜半導体装置の製造方法

Inventor：
下垣内 康

About 下垣内 康


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995348096
Publication number (International publication number)：1997172181
Application date： Dec. 15, 1995
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：
【要約】【課題】 エネルギービームの走査方向を最適化して薄膜トランジスタの電気特性を改善する。【解決手段】 薄膜半導体装置の製造方法では絶縁基板1上に半導体薄膜4を成膜する成膜工程を行なう。又、照射工程を行ない線状の照射エリアを有するエネルギービーム5を照射エリアと直交する走査方向に沿って相対的に移動しながら絶縁基板1に照射して半導体薄膜4を結晶化する。この結晶化された半導体薄膜4をチャネル領域Chとしこれに交差するゲート電極2を備えた薄膜トランジスタ8を集積形成する。この際、照射工程ではチャネル領域Chと平行でゲート電極2に直交する走査方向にエネルギービーム5を移動している。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に半導体薄膜を成膜する成膜工程と、線状の照射エリアを有するエネルギービームを該照射エリアと直交する走査方向に沿って相対的に移動しながら該絶縁基板に照射して該半導体薄膜を結晶化する照射工程とを含み、該半導体薄膜をチャネル領域としこれに交差するゲート電極を備えた薄膜トランジスタを集積形成した薄膜半導体装置の製造方法であって、前記照射工程は、該チャネル領域と平行で該ゲート電極に直交する走査方向にエネルギービームを移動する事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12
FI (5)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 612 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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