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J-GLOBAL ID：200903009293807291

光半導体用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置

Inventor：
中筋 郁雄

About 中筋 郁雄

, 
山中 浩史

About 山中 浩史


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (1)： 安藤 淳二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000020685
Publication number (International publication number)：2001207019
Application date： Jan. 28, 2000
Publication date： Jul. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】 成形品が光透過性を維持すると共に、熱時剛性が良好で、低応力性を有する光半導体用エポキシ樹脂組成物、及び、びこの組成物を用いた光半導体装置を提供する。【解決手段】 光半導体用エポキシ樹脂組成物は、下記(A)、(B)、(C)、(D)、(E)成分を配合してなる組成物で、光半導体素子を封止するものである。(A)成分はエポキシ樹脂、(B)成分は硬化剤、(C)成分は硬化促進剤、(D)成分は離型剤、及び、(E)成分は屈折率が1.45〜1.60のシリコーン化合物である。光半導体装置は、上記組成物を用いて光半導体素子を封止してなる。
Claim (excerpt)：
下記(A)、(B)、(C)、(D)、(E)成分を配合してなる組成物で、光半導体素子を封止する光半導体用エポキシ樹脂組成物。(A)成分;エポキシ樹脂、(B)成分:硬化剤、(C)成分:硬化促進剤、(D)成分:離型剤、(E)成分:屈折率が1.45〜1.60のシリコーン化合物。
IPC (8)：
C08L 63/00 ,  C08G 59/42 ,  C08K 5/20 ,  C08L 83/06 ,  C08L 83/07 ,  C08L 83/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (8)：
C08L 63/00 A ,  C08L 63/00 C ,  C08G 59/42 ,  C08K 5/20 ,  C08L 83/06 ,  C08L 83/07 ,  C08L 83/12 ,  H01L 23/30 F
F-Term (57)：
4J002CC052 ,  4J002CD011 ,  4J002CD021 ,  4J002CD051 ,  4J002CD061 ,  4J002CD111 ,  4J002CD141 ,  4J002CN022 ,  4J002EL136 ,  4J002EN077 ,  4J002EN107 ,  4J002EP018 ,  4J002EP028 ,  4J002EU117 ,  4J002EU137 ,  4J002EW017 ,  4J002EW177 ,  4J002EX039 ,  4J002EX069 ,  4J002FD142 ,  4J002FD146 ,  4J002FD157 ,  4J002FD168 ,  4J002GQ05 ,  4J036AA01 ,  4J036AD08 ,  4J036AD20 ,  4J036AF06 ,  4J036DA01 ,  4J036DA02 ,  4J036DB17 ,  4J036DC41 ,  4J036DC46 ,  4J036DD02 ,  4J036DD07 ,  4J036FA12 ,  4J036FB07 ,  4J036FB12 ,  4J036FB16 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB02 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB08 ,  4M109EB09 ,  4M109EB13 ,  4M109EB18 ,  4M109EB19 ,  4M109EC04 ,  4M109EC07 ,  4M109EC09 ,  4M109EC11 ,  4M109EC20 ,  4M109GA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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