Pat
J-GLOBAL ID：200903009300138244
磁気特性の変調方法および磁気機能装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001186045
Publication number (International publication number)：2003007980
Application date： Jun. 20, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：
【要約】【課題】 界面電場の影響により、磁性層の磁気異方性もしくは異種磁性層との磁気結合が変化する場合に、磁性層の磁化方向を変えるような効果を得ることにより、例えばMRAMの高密度化、省電力化の可能性を開く。【解決手段】 第1の層11と、第1の層11よりも電気抵抗率の高い第2の層12と、第2の層12よりも電気抵抗率の低い第3の層13とを積層してなる積層構造体を有し、第1、第2、第3の層11、12、13のうちいずれか少なくとも1層は磁性を示す材料で構成された磁性層からなり、第1、第3の層11、13の間に外部回路21によって電圧を印加することによって磁性層の界面の電子状態を変化させ、磁性層の磁気異方性または磁歪または隣接磁性層との間の磁気結合を変化させる効果を利用して、電子状態の変化が磁性薄膜の磁化状態を変化させる。
Claim (excerpt)：
第1の層と、前記第1の層よりも電気抵抗率の高い第2の層と、前記第2の層よりも電気抵抗率の低い第3の層とを積層してなる積層構造体を有し、前記第1、第2、第3の層のうちいずれか少なくとも1層は磁性を示す材料で構成された磁性層からなり、前記第1、第3の層の間に外部回路によって電圧を印加することによって前記磁性層の界面の電子状態を変化させ、前記磁性層の磁気異方性または磁歪または隣接磁性層との間の磁気結合を変化させる効果を利用して、前記電子状態の変化が磁性薄膜の磁化状態を変化させることを特徴とする磁気特性の変調方法。
IPC (5)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 43/08
, H01F 10/32
G11C 11/14 A
, G11C 11/14 E
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01F 10/32
, H01L 27/10 447
5E049AB03
, 5E049BA30
, 5E049DB02
, 5F083FZ10
, 5F083HA06
, 5F083HA10
, 5F083JA37
, 5F083JA38
