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J-GLOBAL ID：200903009304751595

薄膜形成方法

Inventor：
福田 加一

About 福田 加一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994076737
Publication number (International publication number)：1995283147
Application date： Apr. 15, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタなどの薄膜を効率よく成膜することを目的とする。【構成】 プラズマエッチングによりクリーニング可能な複数の反応室13〜16を備える枚葉式プラズマ成膜装置を用い、複数の反応室においてそれぞれ一定数の基板上に成膜をおこなったのちに周期的に反応室のクリーニングをおこない、複数の反応室を使用して同一基板上に異なる種類の膜を積層形成する薄膜形成方法において、反応室のクリーニングの周期を規定する成膜基板の枚数を成膜する薄膜の種類により異ならしめた。【効果】 装置全体の積層形成のスループットを向上させることができる。
Claim (excerpt)：
プラズマエッチングによりクリーニング可能な複数の反応室を備える枚葉式プラズマ成膜装置を用い、上記複数の反応室においてそれぞれ一定数の基板上に成膜をおこなったのちに周期的に反応室のクリーニングをおこない、上記複数の反応室を使用して同一基板上に異なる種類の薄膜を積層形成する薄膜形成方法において、上記反応室のクリーニングの周期を規定する成膜基板の枚数を成膜する薄膜の種類により異ならしめたことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (5)：
H01L 21/205 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 21/31 C ,  H01L 21/31 D ,  H01L 29/78 311 Y
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-285177
  • 真空処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-087877   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特開平2-294018
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