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J-GLOBAL ID：200903009324672020

GaN蛍光体の製造方法

Inventor： 佐藤 義孝 ,  須田 順子 ,  片岡 文昭 ,  土岐 均 ,  野村 裕司
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 西村 教光 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998373539
Publication number (International publication number)：2000198977
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】【目的】高温で焼成しても体色が黒化しないGaN系蛍光体の製造方法を提供する。【構成】焼成炉1の内部にGaN蛍光体の原料物質3(Ga2 O3 、ZnS等)を配置する。アンモニアとともに、S又はO(又は両方)を含むガス(H2 S等)を流す。原料物質3付近にはS、Oを含む雰囲気が生じる。この結果、原料物質3付近の水素による還元作用が抑制され、生成したGaNの分解がおこり難くなる。このため、焼成温度を上げてもGaNの分解による黒化現象は発生しない。焼成温度を上昇させて結晶性の高いGaN蛍光体が得られ、実用的な輝度が得られる。

Claim (excerpt)：

Ga<SB>1-x </SB>In<SB>x </SB>N:A,B(0≦x<1、A=Zn,Mg、B=Si,Ge)で表されるGaN蛍光体の製造方法において、Sを含むガスとOを含むガスから構成される群から選択されたガスを、NH<SB>3</SB>ガスに添加した雰囲気中で、前記GaN蛍光体の原料物質を焼成することを特徴とするGaN蛍光体の製造方法。

IPC (2)：

C09K 11/62 ,  C09K 11/08

FI (2)：

C09K 11/62 ,  C09K 11/08 B

F-Term (8)：

4H001CF02 ,  4H001XA07 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  4H001YA12 ,  4H001YA14 ,  4H001YA30 ,  4H001YA32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 蛍光体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-100215   Applicant：双葉電子工業株式会社
• 蛍光体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-043032   Applicant：双葉電子工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 蛍光体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-100215   Applicant：双葉電子工業株式会社
• 蛍光体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-043032   Applicant：双葉電子工業株式会社