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J-GLOBAL ID：200903009332162180

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 角 博文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994227582
Publication number (International publication number)：1996097209
Application date： Sep. 22, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 配線層の下地膜などとして用いられるバリア膜などとして用いて好適な膜の構造および製造方法を提供すること。【構成】 窒素を含む化合物膜を少なくとも有する半導体装置であって、窒素を含む化合物膜(たとえばTiN膜)が、不活性ガス(Ar)に対する窒素(N2 )のガス流量比が、0.125以上1.0以下の条件で成膜される。このTiN膜は、配線層と半導体とのコンタクト部の下地膜の一部、あるいは下層配線層と上層配線層とがコンタクト部を通じて接続される半導体装置において、下層配線層の上に積層される積層膜の一部として用いられる。TiN膜の上には、TiON膜などが成膜され、反射防止膜としても機能する。

Claim (excerpt)：

窒素を含む化合物膜を少なくとも有する半導体装置であって、前記窒素を含む化合物膜が、不活性ガスに対する窒素のガス流量比が、0.125以上1.0以下の条件で成膜される半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 配線構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-069199   Applicant：ソニー株式会社
• 金属配線およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-053571   Applicant：川崎製鉄株式会社