金属配線およびその形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994053571
Publication number (International publication number)：1995226387
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体装置における金属配線のエレクトロマイグレーション耐性等の信頼性を向上させるとともに、微細化された半導体装置においても良好に使用できる金属配線およびその形成方法の提供。【構成】半導体基板上に高融点金属もしくは高融点金属化合物を含む下地金属膜を形成し、次いで、この下地金属膜表面を、塩素を含むガス雰囲気を用いてプラズマエッチングを行った後、前記下地金属膜上にAl,Cu,AuおよびAgのいずれかを主成分とする配線金属膜を形成する金属配線の形成方法およびこうして得られた金属配線によって上記目的を達成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上方に高融点金属もしくは高融点金属化合物を含む下地金属膜を形成し、次いで、この下地金属膜表面を、塩素を含むガス雰囲気を用いてプラズマエッチングを行った後、前記下地金属膜上にAl,Cu,AuおよびAgのいずれかを主成分とする配線金属膜を形成することを特徴とする金属配線の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 M , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

アルミニウム系積層配線構造の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-183431 Applicant：ソニー株式会社
特開平3-183771
特開平1-198475

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